1.内存时序是什么意思

2.内存时序怎么调 详解内存时序调整方法？

3.内存时序什么意思？

在给电脑购买内存的时候，大多数人会注重看内存的容量和频率参数，一般来说容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数很重要，但还有另一个重要参数往往被大家忽略，它便是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能又会有哪些影响？本期科普，闪德君就带大家一起来认识认识这一内存参数。

时序会对内存芯片上各种常见操作之间的延迟产生影响，如果延迟超过一定限度，就会影响到内存的性能。一句话来概括，内存的时序是对内存在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。

内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的 「主要时序」，对延迟的影响最为显著。

内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址传输到列地址的延迟时间」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址选通脉冲预充电时间」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的时间」。

看完上面这些，大家是不是更迷惑了？别急，下面我们举个简单例子来讲讲。

我们可以把内存存储数据的地方想象成一个网格，且每个方格都存储着不同的数据，CPU需要什么数据，就向内存发出相应的指令。

比如CPU想要C3位置的数据。内存在接收到CPU的指令后，要先确定数据具体在哪一行，时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，意思是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。

内存确定了数据所在的行之后，要想找出数据，还得确定列。时序的第一个数字也就是CL，就表示内存确定行数之后，还要等待多长时间，才能访问具体的列。

确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥有着举足轻重的作用。

内存时序的第三个参数tRP，就是已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间。

第四个参数tRAS，可以简单理解成内存写入或读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。

所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高。比如今年各大存储厂商发布的DDR5内存，频率确实升上去了，但时序也相对DDR4内存来说要高上不少。

内存时序是什么意思

这句话的意思如下：

内存条时序是描述内存性能的一项重要参数，代表了内存信号在时间上的延迟。时序即金手指信号延迟时间，用四个数字表示，单位是时钟周期，这四个数字分别代表CAS（列地址选择）、RAS（行地址选择）、WE（写使能）和CAS延迟时间。

降低内存条时序可以有效提高内存的访问速度，进而提升系统性能。所以，很多超频玩家和高端玩家在选择内存时会特别关注时序参数。

内存时序怎么调 详解内存时序调整方法？

描述内存条性能的一种参数。内存时序是描述同步动态随机存取存储器性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。可以理解为内存读取数据的速度，也可以看作是计算机中内存芯片接收来自CPU指令的速度。时序参数越小，速度越快，性能也就越好。

内存时序什么意思？

内存时序是指内存读写时的延迟时间，包括CL（CAS Latency）、TRCD（RAS to CAS Delay）和TRP（RAS Precharge Time）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来优化内存性能。

以下是如何调整内存时序的步骤：

1. 进入BIOS设置：根据不同的主板和电脑型号，进入BIOS设置的方法可能不同。通常，您需要按下电脑开机时的特定按键，例如F2、F12或Delete键。在BIOS设置中，找到“高级”或“内存”选项，然后进入内存时序调整选项。

2. 调整CL（CAS Latency）：CL是内存读写时的一个延迟时间，它表示从读取命令发出到第一次数据读取的时间。您可以通过调整CL值来优化内存性能。通常，较低的CL值会导致更高的性能，但也会增加延迟。因此，您需要根据您的具体情况进行调整。在BIOS设置中，找到CL值调整选项，然后根据您的需求进行调整。

3. 调整TRCD（RAS to CAS Delay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号发出到CAS（列地址选择）信号发出的时间。这个时间的长短会影响内存的读写速度。您可以通过调整TRCD值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRCD值调整选项，然后根据您的需求进行调整。

4. 调整TRP（RAS Precharge Time）：TRP表示RAS信号预充电所需的时间。在内存读写之前，需要执行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来优化内存性能。在BIOS设置中，找到TRP值调整选项，然后根据您的需求进行调整。

需要注意的是，不同的内存类型和不同的电脑配置可能需要不同的最佳内存时序调整值。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优化。

内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式。

分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。

用更通俗的说法，CMDRate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。

不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。